半导体Ky开元集团器又称为Ky开元集团二极管（LD，Laser Diode），是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类Ky开元集团器。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦激励三种形式。半导体Ky开元集团器件，一般可分为同质结、单异质结、双异质结。同质结Ky开元集团器和单异质结Ky开元集团器室温时多为脉冲器件，而双异质结Ky开元集团器室温时可实现连续工作。半导体Ky开元集团器的优点在于体积小、重量轻、运转可靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制，因此半导体Ky开元集团器在Ky开元集团通信、光存储、光陀螺、Ky开元集团打印、Ky开元集团医疗、Ky开元集团测距、Ky开元集团雷达、自动控制、检测仪器等领域得到了广泛的应用。
半导体Ky开元集团器工作原理是：通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时便产生受激发射作用。半导体Ky开元集团器的激励方式主要有三种：电注入式、电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体Ky开元集团器一般是由GaAS（砷化镓）、InAS（砷化铟）、Insb（锑化铟）等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体Ky开元集团器一般用N型或者P型半导体单晶（PbS、CdS、ZhO等）作为工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体Ky开元集团器一般用N型或P型半导体单晶（GaAS、InAs、InSb等）作为工作物质，以其它Ky开元集团器发出的Ky开元集团作光泵激励。
目前在半导体Ky开元集团器件中，性能较好、应用较广的是：具有双异质结构的电注入式GaAs二极管半导体Ky开元集团器。
半导体光电器件的工作波长与半导体材料的种类有关。半导体材料中存在着导带和价带，导带上面可以让电子自由运动，而价带下面可以让空穴自由运动，导带和价带之间隔着一条禁带，当电子吸收了光的能量从价带跳跃到导带中去时就把光的能量变成了电，而带有电能的电子从导带跳回价带，又可以把电的能量变成光，这时材料禁带的宽度就决定了光电器件的工作波长。
小功率半导体Ky开元集团器（信息型Ky开元集团器），主要用于信息技术领域，例如用于光纤通信及光交换系统的分布反馈和动态单模Ky开元集团器（DFB-LD）、窄线宽可调谐Ky开元集团器、用于光盘等信息处理领域的可见光波长Ky开元集团器（405nm、532nm、635nm、650nm、670nm）。这些器件的特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐、短波长、光电单片集成化等。
大功率半导体Ky开元集团器（功率型Ky开元集团器），主要用于泵浦源、Ky开元集团加工系统、印刷行业、生物医疗等领域。
半导体Ky开元集团器主要参数：
波长nm：Ky开元集团器工作波长，例如405nm、532nm、635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm。
阈值电流Ith：Ky开元集团二极管开始产生Ky开元集团振荡的电流，对小功率Ky开元集团器而言其值约在数十毫安。
工作电流Iop：Ky开元集团二极管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试Ky开元集团驱动电路较重要。
垂直发散角θ⊥：Ky开元集团二极管的发光带在与PN结垂直方向张开的角度，一般在15?~40?左右。
水平发散角θ∥：Ky开元集团二极管的发光带在与PN结平行方向张开的角度，一般在6?~ 10?左右。
监控电流Im ：Ky开元集团二极管在额定输出功率时在PIN管上流过的电流。
半导体Ky开元集团器主要向两个方向发展：一类是以传递信息为主的信息型Ky开元集团器；另一类是以提高光功率为主的功率型Ky开元集团器。在泵浦固体Ky开元集团器等应用的推动下，高功率半导体Ky开元集团器取得了突破性进展，其标志是半导体Ky开元集团器的输出功率显著增加，国外千瓦级的高功率半导体Ky开元集团器已经商品化，国内样品器件输出已达到600W。未来，半导体Ky开元集团器的发展趋势主要在高速宽Ky开元集团器、大功率Ky开元集团器、短波长Ky开元集团器、中红外Ky开元集团器等方面。
转载请注明出处。
相关文章
热门资讯
精彩导读
关注我们
